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精彩词条CVD
补充：0 浏览：9070 发布时间：2014-8-5
CVD(Chemical Vapor Deposition)原理 CVD(Chemical Vapor Deposition, 化学气相沉积)，指把含有构成薄膜元素的气态反应剂或液态反应剂的蒸气及反应所需其它气体引入反应室，在衬底表面发生化学反应生成薄膜的过程。在超大规模集成电路中很多薄膜都是采用CVD方法制备。经过CVD处理后，表面处理膜密着性约提高30%，防止高强力钢的弯曲，拉伸等成形时产生的刮痕。 CVD特点 淀积温度低，薄膜成份易控，膜厚与淀积时间成正比，均匀性，重复性好，台阶覆盖性优良。 CVD制备的必要条件 1) 在沉积温度下，反应物具有足够的蒸气压，并能以适当的速度被引入反应室; 2) 反应产物除了形成固态薄膜物质外，都必须是挥发性的; 3) 沉积薄膜和基体材料必须具有足够低的蒸气压。 其他补充 |
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